Dati da comparare | MRAM | Settore Settore - Media delle metriche di un ampio gruppo di dati correlati Tecnologia Settore aziende | Rapporto RapportoMRAMAziende comparabiliSettore | |
|---|---|---|---|---|
Ratio Prezzo/Utile | −149,1x | 62,0x | 12,3x | |
PEG Ratio | 0,56 | 0,41 | 0,01 | |
Price/Book | 5,4x | 3,5x | 2,4x | |
Prezzo / Vendite ultimi 12 mesi | 6,3x | 4,3x | 2,2x | |
Rialzo (Target analisti) | 23,9% | 0,0% | 36,8% | |
Rialzo Fair Value | Sblocca | −1,7% | 7,2% | Sblocca |
Everspin Technologies, Inc. è impegnata nella fornitura di soluzioni di memoria magnetoresistiva ad accesso casuale (MRAM). Le soluzioni MRAM dell'azienda offrono una memoria non volatile con la velocità e la resistenza della memoria ad accesso casuale (RAM) e consentono di proteggere i dati mission-critical, in particolare in caso di interruzione o guasto dell'alimentazione. Il suo portafoglio di tecnologie MRAM comprende Toggle MRAM e Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). I prodotti Toggle MRAM includono interfacce standard del settore, tra cui interfacce parallele, Serial Peripheral Interface (SPI) e Quad SPI (QSPI). La sua tecnologia STT-MRAM offre prodotti per applicazioni di memoria ad accesso casuale dinamico (DRAM), SRAM e NOR Flash. Offre i suoi prodotti con interfacce derivate DDR3 e DDR4, facilitando la sostituzione della DRAM a batteria con la STT-MRAM. I suoi sensori 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) forniscono un'elevata sensibilità magnetica in un singolo componente che esegue misure di campo magnetico 3D in una soluzione monolitica.